В феврале Xiaomi показала свой собственный чип под названием Surge S1. Он был представлен через телефон Xiaomi Mi 5c. Чип стал результатам более двухлетней работы разработчиков компании. Свежая информация, появившаяся сегодня утром, гласит, что Xiaomi теперь работает над своим внутренним чипом второго поколения, который, как ожидается, появится под именем Surge S2.

Surge S1 производился компанией Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC). Он был сделан с 28-нм производственным процессом. Спустя несколько месяцев после запуска Surge S1 китайская компания начала работу над своим преемником. Ходят слухи, что массовое производство чипов Surge S2 начнется в ближайшее время, сообщила тайваньская публикация, ссылаясь на китайские СМИ.

Xiaomi провела выборку своего предстоящего чипа Surge S2. TSMC будет производить новый чип и сделан он будет по технологии обработки 16 нм. Ожидается, что его массовое производство начнется в третьем квартале этого года. Так как Surge S1 оснастили Xiaomi Mi 5c, то слухи изобилуют тем, что предстоящий Surge S2 будет присутствовать под корпусом Xiaomi Mi 6c и 6s. Оба смартфона, дебютируют в последнем квартале 2017 года.

Xiaomi Surge S1 — это 8-ядерный процессор с четырьмя ядрами Cortex A53 с частотой 2,2 ГГц и еще четырьмя ядрами Cortex A53, работающими на частоте 1,4 ГГц. Он сочетается с набором микросхем Mali-T860 MP4 и функциями Cat.4 LTE-модема. Чип поддерживает память LPDDR3 и память eMMC 5.0. С точки зрения производительности, он находится на одном уровне с чипом Snapdragon 625 (построенный на 14-нм процессе). Следовательно, существует вероятность того, что Surge S2 может быть столь же мощным, как Snapdragon 625 или 652 SoC. Похоже, что Xiaomi потребует от производства чипа более высокого класса, который в последствии может использоваться на флагманских телефонах компании.