Samsung сегодня заявил, что готов начать массовое производство 8 нм-х чипов FinFET Low Power Plus. 8-нм LPP-узел заполняет пробел между 10-нм процессом, используемым в прошлом году и в большей части этого года, а 7-нм процесс, как ожидается, будет использоваться в 2018 году. Samsung говорит, что готов увеличить производительность до стабильных уровней благодаря урокам, которым научился благодаря производству 10-нм чипов.

По сравнению с 10-нм микросхемами Low Power Plus, 8-нм LPP занимает на 10 % меньше площади внутри устройства и, в то же время, потребляет на 10 % меньше энергии, что экономит время автономной работы. Samsung считает компанию Qualcomm клиентом, а старший вице-президент компании RK Chunduru говорит, что 8-нм LPP быстро начнет откатывать сборочные линии, поскольку использует уже доказанную технологию 10-нм для производства. Хотя, нужно отметить, что 8-нм чипы LPP превосходят компоненты, изготовленные с использованием 10-нм техпроцесса.

Samsung выпустит дорожную карту, демонстрирующую наличие 8-нм LPP и 7-нм EUV-чипов, во время мероприятия Samsung Foundry Forum Europe, которое проходит сегодня в Мюнхене. 7-нм EUV означает экстремальную технологию ультрафиолетовой литографии, используемую Samsung. Эта технология создает интегральную схему, найденную на микропроцессорной микросхеме. Первоначально, как ожидается, 8-нм чипы LPP не будут выпускаться до первого квартала 2018 года, Samsung будет первым, кто их отправит. GlobalFoundries запустит чипы, произведенные с использованием 7-нм техпроцесса в первой половине 2018 года, с солидной скоростью сборочной линии во второй половине года. Но, эти чипы не появятся на мобильных устройствах до 2019 года.

«С завершением квалификации, за три месяца досрочно мы начали производство 8LPP. Samsung Foundry продолжает расширять портфель процессов, чтобы обеспечить отличные конкурентные преимущества и отличную технологичность на основе потребностей наших клиентов и рынка», — заявил Ryan Lee, вице-президент по литейному маркетингу Samsung Electronics.